-
RFTXX-30CR6363C चिप रेझिस्टर आरएफ रेझिस्टर
मॉडेल RFTXX-30CR6363C पॉवर 30W रेझिस्टन्स XX Ω (10~3000Ω सानुकूल करण्यायोग्य) रेझिस्टन्स टॉलरन्स ±5% तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO रेझिस्टिव्ह एलिमेंट थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 ते +150°C (पॉवर डी-रेटिंग पहा) सुचविलेल्या माउंटिंग प्रक्रिया पॉवर डी-रेटिंग रिफ्लो प्रोफाइल P/N पदनाम वापरासाठी सूचना ■ नवीन खरेदी केलेल्या भागांचा साठवण कालावधी 6 महिन्यांपेक्षा जास्त झाल्यावर, वापरण्यापूर्वी वेल्डिंग क्षमतेकडे लक्ष द्यावे. अशी शिफारस केली जाते... -
RFTXX-30CR2550W चिप रेझिस्टर आरएफ रेझिस्टर
मॉडेल RFTXX-30CR2550W पॉवर 30 W रेझिस्टन्स XX Ω (10~3000Ω सानुकूल करण्यायोग्य) रेझिस्टन्स टॉलरन्स ±5% तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO रेझिस्टिव्ह एलिमेंट थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 ते +150°C (पॉवर डी-रेटिंग पहा) सुचविलेल्या माउंटिंग प्रक्रिया पॉवर डी-रेटिंग रिफ्लो प्रोफाइल P/N पदनाम वापरासाठी सूचना ■ नवीन खरेदी केलेल्या भागांचा साठवण कालावधी 6 महिन्यांपेक्षा जास्त झाल्यावर, वापरण्यापूर्वी वेल्डिंग क्षमतेकडे लक्ष द्यावे. अशी शिफारस केली जाते... -
RFTXX-30CR2550TA चिप रेझिस्टर आरएफ रेझिस्टर
मॉडेल RFTXX-30CR2550TA पॉवर 30W रेझिस्टन्स XX Ω (10~3000Ω सानुकूल करण्यायोग्य) रेझिस्टन्स टॉलरन्स ±5% तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO रेझिस्टिव्ह एलिमेंट थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 ते +150°C (पॉवर डी-रेटिंग पहा) सुचविलेल्या माउंटिंग प्रक्रिया पॉवर डी-रेटिंग रिफ्लो प्रोफाइल P/N पदनाम वापरासाठी सूचना ■ नवीन खरेदी केलेल्या भागांचा साठवण कालावधी 6 महिन्यांपेक्षा जास्त झाल्यावर, वापरण्यापूर्वी वेल्डिंग क्षमतेकडे लक्ष द्यावे. अशी शिफारस केली जाते... -
RFTXX-30RM2006 फ्लँज्ड रेझिस्टर आरएफ रेझिस्टर
मॉडेल RFTXX-30RM2006 पॉवर 30 W रेझिस्टन्स XX Ω (10~2000Ω सानुकूल करण्यायोग्य) रेझिस्टन्स टॉलरन्स ±5% कपॅसिटन्स 2.6 PF@100Ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO कव्हर AL2O3 माउंटिंग फ्लॅंज पितळ लीड 99.99% शुद्ध चांदी रेझिस्टिव्ह एलिमेंट थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 ते +150°C (पॉवर डी-रेटिंग पहा) बाह्यरेखा रेखाचित्र (युनिट: मिमी) लीड वायरची लांबी ग्राहकाच्या गरजेनुसार असू शकते आकार टॉलरन्स: 5% अन्यथा नमूद केल्याशिवाय सूचना... -
RFTXX-30RM1306 आरएफ रेझिस्टर
मॉडेल RFTXX-30RM1306 पॉवर 30 W रेझिस्टन्स XX Ω (10~2000Ω सानुकूल करण्यायोग्य) रेझिस्टन्स टॉलरन्स ±5% कपॅसिटन्स 2.6 PF@100Ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO कव्हर AL2O3 माउंटिंग फ्लॅंज पितळ लीड 99.99% शुद्ध चांदी रेझिस्टिव्ह एलिमेंट थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 ते +150°C (पॉवर डी-रेटिंग पहा) बाह्यरेखा रेखाचित्र (युनिट: मिमी) लीड वायरची लांबी ग्राहकाच्या गरजेनुसार असू शकते आकार टॉलरन्स: 5% अन्यथा नमूद केल्याशिवाय सूचना... -
ड्युअल जंक्शन आयसोलेटर
ड्युअल जंक्शन आयसोलेटर हे एक पॅसिव्ह उपकरण आहे जे सामान्यतः मायक्रोवेव्ह आणि मिलीमीटर-वेव्ह फ्रिक्वेन्सी बँडमध्ये अँटेनाच्या टोकापासून येणारे रिव्हर्स सिग्नल वेगळे करण्यासाठी वापरले जाते. हे दोन आयसोलेटरच्या रचनेने बनलेले असते. याचा इन्सर्शन लॉस आणि आयसोलेशन सामान्यतः सिंगल आयसोलेटरपेक्षा दुप्पट असतो. जर सिंगल आयसोलेटरचे आयसोलेशन 20dB असेल, तर डबल-जंक्शन आयसोलेटरचे आयसोलेशन अनेकदा 40dB असू शकते. पोर्ट VSWR मध्ये फारसा बदल होत नाही. सिस्टीममध्ये, जेव्हा रेडिओ फ्रिक्वेन्सी सिग्नल इनपुट पोर्टवरून पहिल्या रिंग जंक्शनकडे पाठवला जातो, तेव्हा पहिल्या रिंग जंक्शनच्या एका टोकाला रेडिओ फ्रिक्वेन्सी रेझिस्टर बसवलेला असल्यामुळे, त्याचा सिग्नल फक्त दुसऱ्या रिंग जंक्शनच्या इनपुट टोकापर्यंतच पाठवला जाऊ शकतो. दुसरे लूप जंक्शन पहिल्यासारखेच असते, ज्यात RF रेझिस्टर बसवलेले असतात, सिग्नल आउटपुट पोर्टकडे पाठवला जातो आणि त्याचे आयसोलेशन हे दोन्ही लूप जंक्शनच्या आयसोलेशनची बेरीज असते. आउटपुट पोर्टवरून परत येणारा रिव्हर्स सिग्नल दुसऱ्या रिंग जंक्शनमधील RF रेझिस्टरद्वारे शोषला जातो. अशा प्रकारे, इनपुट आणि आउटपुट पोर्ट्समध्ये मोठ्या प्रमाणात विलगीकरण साधले जाते, ज्यामुळे सिस्टममधील परावर्तन आणि व्यत्यय प्रभावीपणे कमी होतो.
फ्रिक्वेन्सी रेंज १० मेगाहर्ट्झ ते ४० गिगाहर्ट्झ, ५०० वॅट पर्यंत पॉवर.
लष्करी, अवकाश आणि व्यावसायिक अनुप्रयोग.
कमी इन्सर्शन लॉस, उच्च आयसोलेशन, उच्च पॉवर हाताळणी.
मागणीनुसार सानुकूलित डिझाइन उपलब्ध आहे.
-
एसएमटी / एसएमडी आयसोलेटर
एसएमडी आयसोलेटर हे पीसीबी (प्रिंटेड सर्किट बोर्ड) वर पॅकेजिंग आणि इन्स्टॉलेशनसाठी वापरले जाणारे एक आयसोलेशन उपकरण आहे. त्यांचा वापर कम्युनिकेशन सिस्टीम, मायक्रोवेव्ह उपकरणे, रेडिओ उपकरणे आणि इतर क्षेत्रांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर केला जातो. एसएमडी आयसोलेटर लहान, वजनाने हलके आणि इन्स्टॉल करण्यास सोपे असतात, ज्यामुळे ते उच्च-घनतेच्या इंटिग्रेटेड सर्किट ॲप्लिकेशन्ससाठी योग्य ठरतात. खाली एसएमडी आयसोलेटरची वैशिष्ट्ये आणि उपयोगांची सविस्तर ओळख करून दिली आहे. सर्वप्रथम, एसएमडी आयसोलेटरमध्ये विस्तृत फ्रिक्वेन्सी बँड कव्हरेज क्षमता असते. ते सामान्यतः विविध ॲप्लिकेशन्सच्या फ्रिक्वेन्सी आवश्यकता पूर्ण करण्यासाठी ४००MHz-१८GHz सारखी विस्तृत फ्रिक्वेन्सी श्रेणी कव्हर करतात. ही विस्तृत फ्रिक्वेन्सी बँड कव्हरेज क्षमता एसएमडी आयसोलेटरला अनेक ॲप्लिकेशन परिस्थितींमध्ये उत्कृष्ट कामगिरी करण्यास सक्षम करते.
वारंवारता श्रेणी २०० मेगाहर्ट्झ ते १५ गिगाहर्ट्झ.
लष्करी, अवकाश आणि व्यावसायिक अनुप्रयोग.
कमी इन्सर्शन लॉस, उच्च आयसोलेशन, उच्च पॉवर हाताळणी.
मागणीनुसार सानुकूलित डिझाइन उपलब्ध आहे.
-
RFTXX-20RM0904 आरएफ रेझिस्टर
मॉडेल RFTXX-20RM0904 पॉवर 20 W रेझिस्टन्स XX Ω (10~3000Ω सानुकूल करण्यायोग्य) रेझिस्टन्स टॉलरन्स ±5% कपॅसिटन्स 1.2 PF@100Ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO कव्हर AL2O3 माउंटिंग फ्लॅंज पितळ लीड 99.99% शुद्ध चांदी रेझिस्टिव्ह एलिमेंट थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 ते +150°C (पॉवर डी-रेटिंग पहा) बाह्यरेखा रेखाचित्र (युनिट: मिमी) लीड वायरची लांबी ग्राहकाच्या गरजेनुसार असू शकते आकार टॉलरन्स: 5% अन्यथा नमूद केल्याशिवाय सूचना... -
मायक्रोस्ट्रिप आयसोलेटर
मायक्रोस्ट्रिप आयसोलेटर हे सर्किटमध्ये सिग्नल ट्रान्समिशन आणि आयसोलेशनसाठी वापरले जाणारे एक सामान्य RF आणि मायक्रोवेव्ह उपकरण आहे. फिरणाऱ्या चुंबकीय फेराइटवर सर्किट तयार करण्यासाठी यात थिन फिल्म तंत्रज्ञानाचा वापर केला जातो आणि नंतर ते साध्य करण्यासाठी चुंबकीय क्षेत्र जोडले जाते. मायक्रोस्ट्रिप आयसोलेटरच्या स्थापनेसाठी सामान्यतः तांब्याच्या पट्ट्यांचे मॅन्युअल सोल्डरिंग किंवा गोल्ड वायर बॉन्डिंगची पद्धत वापरली जाते. कोॲक्सिअल आणि एम्बेडेड आयसोलेटरच्या तुलनेत मायक्रोस्ट्रिप आयसोलेटरची रचना खूप सोपी असते. सर्वात स्पष्ट फरक हा आहे की यात कोणतीही पोकळी नसते आणि फिरणाऱ्या फेराइटवर डिझाइन केलेला नमुना तयार करण्यासाठी थिन फिल्म प्रक्रियेचा (व्हॅक्यूम स्पटरिंग) वापर करून मायक्रोस्ट्रिप आयसोलेटरचा कंडक्टर बनवला जातो. इलेक्ट्रोप्लेटिंगनंतर, तयार झालेला कंडक्टर फिरणाऱ्या फेराइट सबस्ट्रेटला जोडला जातो. ग्राफच्या वर इन्सुलेटिंग माध्यमाचा एक थर लावला जातो आणि त्या माध्यमावर चुंबकीय क्षेत्र निश्चित केले जाते. अशा सोप्या रचनेसह मायक्रोस्ट्रिप आयसोलेटर तयार केला जातो.
वारंवारता श्रेणी २.७ ते ४३ गिगाहर्ट्झ
लष्करी, अवकाश आणि व्यावसायिक अनुप्रयोग.
कमी इन्सर्शन लॉस, उच्च आयसोलेशन, उच्च पॉवर हाताळणी.
मागणीनुसार सानुकूलित डिझाइन उपलब्ध आहे.
-
CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC~3.0GHz लो इंटरमॉड्युलेशन टर्मिनेशन
मॉडेल CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G फ्रिक्वेन्सी रेंज DC~3.0GHz VSWR 1.20 कमाल PIM3 ≥120dBc@2*33dBm पॉवर 50W इम्पेडन्स 50 Ω कनेक्टर प्रकार DIN-M (J) वॉटरप्रूफ ग्रेड IP65 आकारमान 60×60×80mm कार्यरत तापमान -55 ~ +125°C (पॉवर डी-रेटिंग पहा) रंग काळा वजन सुमारे 410 ग्रॅम वापरासाठी सूचना पॉवर डी-रेटिंग P/N पदनाम -
RFTXX-20RM1304 आरएफ रेझिस्टर
मॉडेल RFTXX-20RM1304 पॉवर 20 W रेझिस्टन्स XX Ω (10~3000Ω गरजेनुसार बदलता येण्याजोगा) रेझिस्टन्स टॉलरन्स ±5% कपॅसिटन्स 1.2 PF@100Ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO कव्हर AL2O3 माउंटिंग फ्लॅंज पितळ लीड 99.99% शुद्ध चांदी रेझिस्टिव्ह एलिमेंट थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 ते +150°C (पॉवर डी-रेटिंग पहा) बाह्यरेखा रेखाचित्र (युनिट: मिमी) लीड वायरची लांबी ग्राहकाच्या गरजेनुसार असू शकते आकार टॉलरन्स: 5% (अन्यथा नमूद केल्याशिवाय) सुचवलेले... -
